jj_02_06_009v
001
De transistor staat in:
a GES
b GCS
c GDS
d GBS
-
002
De waarde van de weerstand Rc is:
a 0.5 Kohm
b 2.5 Kohm
c 2 Kohm
d 3 Kohm
-
003
Kenmerkend voor een GBS is:
a een lage ingangsimpedantie en een lage uitgangsimpedantie
b een hoge ingangsimpedantie en een hoge uitgangsimpedantie
c een lage ingangsimpedantie en een hoge uitgangsimpedantie
d een hoge ingangsimpedantie en een lage uitgangsimpedantie
-
004
Van de transistor is de hfe =100.
De spanningsversterking van deze schakeling is ongeveer:
a 50
b 5
c 1
d 100
-
005
Q1 Q2 en Q3 zijn:
a NPN transistoren
b P-kanaal veldeffect transistoren
c N-kanaal veldeffect transistoren
d PNP transistoren
-
006
Indien een transistor wordt gebruikt als frequentievermenigvuldiger zal deze bij voorkeur worden ingesteld in:
a klasse A
b klasse B
c klasse C
d klasse A/B
-
007
Een hf-versterker, bedoeld voor het versterken van een frequentie gemoduleerd signaal, wordt voor een zo hoog mogelijk rendement ingesteld in:
a klasse A/B
b klasse B
c klasse A
d klasse C
-
008
De kans dat een zender te veel harmonischen uitstraalt is het grootst als de eindtrap wordt ingesteld in:
a klasse B
b klasse A
c klasse AB
d klasse C
-
009
Een buis staat ingesteld in klassse A.
Bij uitsturing met een sinusvormig signaal is anodestroom aanwezig gedurende:
a de gehele periode
b de halve periode
c een kwart periode
d een achtste periode
-
010
Indien een triode wordt gebruikt als frequentie vermenigvuldiger zal deze buis bij voorkeur worden ingesteld in:
a klasse A
b klasse AB
c klasse B
d klasse C
-
011
In de figuur is het schema van een versterker gegeven.
De versterker staat ingesteld in:
a klasse A
b klasse B
c klasse C
d klasse AB
-
┘
012
Deze vermogensversterker is geschikt voor
a morsetelegrafie [draaggolf aan/uit]
b enkelzijbandmodulatie zonder draaggolf
c dubbelzijbandmodulatie zonder draaggolf
d amplitudemodulatie [0 - 100% modulatie]
-
